Comhpháirt ICP SiC-Brataithe

Tá Comhpháirt ICP SiC-Brataithe Semicorex deartha go sonrach le haghaidh próisis láimhseála sliseog ardteochta mar epitaxy agus MOCVD. Le sciath criostail SiC fíneáil, soláthraíonn ár n-iompróirí friotaíocht teasa níos fearr, fiú aonfhoirmeacht teirmeach, agus friotaíocht ceimiceach buan.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Is é Comhpháirt ICP SiC-Brataithe Semicorex an rogha is fearr le haghaidh próisis láimhseála sliseog a éilíonn ardteocht agus friotaíocht ceimiceach. Soláthraíonn ár n-iompróirí próifílí teirmeacha fiú, patrúin sreafa gáis laminar, agus cuireann siad cosc ar éilliú nó idirleathadh neamhíonachtaí a bhuíochas lenár criostail SiC fíneáil. Le sciath criostail SiC fíneáil, soláthraíonn ár n-iompróirí friotaíocht teasa níos fearr, fiú aonfhoirmeacht teirmeach, agus friotaíocht ceimiceach buan.
Ag Semicorex, dírímid ar tháirgí ardchaighdeáin, cost-éifeachtach a sholáthar dár gcustaiméirí. Tá buntáiste praghais ag ár gComhpháirt ICP Brataithe SiC agus déantar é a onnmhairiú chuig go leor margaí Eorpacha agus Mheiriceá. Tá sé mar aidhm againn a bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach, ag seachadadh táirgí ardchaighdeáin comhsheasmhacha agus seirbhís eisceachtúil do chustaiméirí.
Déan teagmháil linn inniu chun tuilleadh a fhoghlaim faoinár gComhpháirt ICP Brataithe SiC.

Paraiméadair na Comhpháirte ICP atá Brataithe le SiC

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J kg- 1 K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300