Graifít Brataithe Carbóin ICP le Sileacan

Is é Graphite Brataithe Carbóin Sileacain ICP Semicorex an rogha iontach le haghaidh láimhseáil wafer éilitheach agus próisis sil-scannáin tanaí. Bródúil as ár dtáirge friotaíocht teasa agus creimeadh níos fearr, fiú aonfhoirmeacht teirmeach, agus patrúin sreabhadh gás lannaithe is fearr.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Caithfidh iompróirí wafer a úsáidtear i bpróiseáil fáis epitaxial teocht ard agus glanadh ceimiceach crua a sheasamh. Déantar susceptóirí Graphite Brataithe Carbóin Sileacain Semicorex ICP a innealtóireacht go sonrach le haghaidh na bhfeidhmchláir éilitheacha trealaimh epitaxy seo. Déantar ár dtáirge a innealtóireacht chun teochtaí arda agus glanadh ceimiceach crua a sheasamh, ag cinntiú fad saoil agus na torthaí is fearr.
Tá ár Graifít Brataithe Carbóin Sileacain ICP deartha chun an patrún sreafa gáis laminar is fearr a bhaint amach, ag cinntiú go bhfuil próifíl teirmeach cothrom. Cuidíonn sé seo le haon éilliú nó idirleathadh neamhíonachtaí a chosc, ag cinntiú fás epitaxial ardcháilíochta ar an sliseanna wafer.
Déan teagmháil linn inniu chun tuilleadh a fhoghlaim faoinár ngraifít brataithe le carbón sileacain ICP.

Paraiméadair de Ghraifít Brataithe Carbóin Sileacain ICP

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J kg- 1 K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300