Iompróir Láimhseála PSS le haghaidh Aistriú Wafer

Déantar Iompróir Láimhseála PSS Semicorex le haghaidh Aistriú Wafer a innealtóireacht do na hiarratais trealaimh epitaxy is déine. Is féidir lenár n-iompróir graifíte ultra-íon timpeallachtaí crua, teocht ard, agus glanadh ceimiceach crua a sheasamh. Tá airíonna dáileadh teasa den scoth ag an iompróir brataithe SiC, seoltacht ard teirmeach, agus tá sé éifeachtach ó thaobh costais. Úsáidtear ár gcuid táirgí go forleathan i go leor margaí Eorpacha agus Mheiriceá, agus táimid ag tnúth le bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach sa tSín.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Tá an tIompróir Láimhseála PSS le haghaidh Aistriú Wafer ó Semicorex deartha chun freastal ar na ceanglais ard-teocht agus dian glanadh ceimiceach le haghaidh fáis epitaxial agus próisis láimhseála sliseog. Tá ár n-iompróir graifíte ultra-íon oiriúnach do chéimeanna taiscí scannáin thanaí cosúil le MOCVD, susceptors epitaxy, ardáin pancóg nó satailíte, agus próiseáil láimhseála sliseog mar eitseáil. Tá airíonna dáileadh teasa den scoth ag an iompróir brataithe SiC, seoltacht ard teirmeach, agus tá sé éifeachtach ó thaobh costais.

Déan teagmháil linn inniu chun tuilleadh a fhoghlaim faoinár n-Iompróir Láimhseála PSS le haghaidh Aistriú Wafer.

Paraiméadair Iompróir Láimhseála PSS le haghaidh Aistriú Wafer

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J kg- 1 K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300