Tráidire Iompróir Eitseála PSS le haghaidh Próiseáil Wafer

Tá Tráidire Iompróir Eitseála PSS Semicorex le haghaidh Próiseáil Wafer deartha go sonrach le haghaidh feidhmchláir éilitheacha trealaimh epitaxy. Tá ár n-iompróir graifíte ultra-íon oiriúnach do chéimeanna taiscí scannáin thanaí cosúil le MOCVD, susceptors epitaxy, ardáin pancóg nó satailíte, agus próiseáil láimhseála sliseog mar eitseáil. Tá friotaíocht ard teasa agus creimeadh, airíonna dáileadh teasa den scoth, agus seoltacht ard teirmeach ag an Tráidire Iompróir Eitseála PSS le haghaidh Próiseáil Wafer. Tá ár gcuid táirgí éifeachtach ó thaobh costais agus tá buntáiste praghais maith acu. Freastalaímid ar go leor margaí Eorpacha agus Mheiriceá agus táimid ag tnúth le bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach sa tSín.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Déantar an Tráidire Iompróir Eitseála PSS do Phróiseáil Wafer ó Semicorex a innealtóireacht le haghaidh timpeallachtaí crua a theastaíonn le haghaidh fáis epitaxial agus próisis láimhseála sliseog. Tá ár n-iompróir graifíte ultra-íon deartha chun tacú le sliseog le linn céimeanna sil-scannán tanaí cosúil le MOCVD agus susceptors epitaxy, pancóg nó ardáin satailíte. Tá friotaíocht ard teasa agus creimeadh ag an iompróir brataithe SiC, airíonna dáileadh teasa den scoth, agus seoltacht ard teirmeach. Tá ár gcuid táirgí éifeachtach ó thaobh costais agus cuireann siad buntáiste praghais maith ar fáil.

Paraiméadair Tráidire Iompróra Eitseála PSS le haghaidh Próiseáil Wafer

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J kg- 1 K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300