Plasma Cúpláilte ionduchtach (ICP)

Tá súdóir brataithe cairbíde sileacain Semicorex le haghaidh Plasma Cúpláilte ionduchtach (ICP) deartha go sonrach le haghaidh próisis láimhseála sliseog ardteochta mar epitaxy agus MOCVD. Le friotaíocht cobhsaí, ardteochta ocsaídiúcháin de suas le 1600 ° C, cinntíonn ár n-iompróirí próifílí teirmeacha fiú, patrúin sreabhadh gáis laminar, agus cuireann siad cosc ar éilliú nó idirleathadh neamhíonachtaí.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

An bhfuil gá le hiompróir wafer atá in ann timpeallachtaí ceimiceacha ardteochta, crua a láimhseáil? Ná bí ag breathnú níos faide ná an súdóir atá brataithe le carbíd sileacain Semicorex le haghaidh Plasma Cúpláilte ionduchtach (ICP). Tá sciath criostail SiC fíneáil ag ár n-iompróirí a sholáthraíonn friotaíocht teasa níos fearr, fiú aonfhoirmeacht teirmeach, agus friotaíocht ceimiceach buan.
Déan teagmháil linn inniu chun tuilleadh a fhoghlaim faoinár susceptor SiC le haghaidh Plasma Cúpláilte ionduchtach (ICP).

Paraiméadair susceptor le haghaidh Plasma Cúpláilte ionduchtach (ICP)

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J kg- 1 K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300