Tráidire Eitseála Plasma ICP

Déantar Tráidire Eitseála Plasma ICP Semicorex a innealtóireacht go sonrach le haghaidh próisis láimhseála ardteochta sliseog mar epitaxy agus MOCVD. Le friotaíocht cobhsaí, ardteochta ocsaídiúcháin de suas le 1600 ° C, soláthraíonn ár n-iompróirí próifílí teirmeacha fiú, patrúin sreabhadh gáis laminar, agus cuireann siad cosc ar éilliú nó idirleathadh neamhíonachtaí.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Tá ár dtráidire eitseála plasma ICP brataithe le cairbíd sileacain ag baint úsáide as modh CVD, arb é an réiteach idéalach é do phróisis láimhseála wafer a éilíonn glanadh ceimiceach ardteochta agus crua. Tá sciath criostail SiC fíneáil ag iompróirí Semicorex a sholáthraíonn fiú próifílí teirmeacha, patrúin sreabhadh gáis laminacha, agus a chuireann cosc ar éilliú nó idirleathadh neamhíonachtaí.
Ag Semicorex, dírímid ar tháirgí ardchaighdeáin, cost-éifeachtach a sholáthar dár gcustaiméirí. Tá buntáiste praghais ag ár dtráidire eitseála plasma ICP agus déantar é a onnmhairiú chuig go leor margaí Eorpacha agus Mheiriceá. Tá sé mar aidhm againn a bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach, ag seachadadh táirgí ardchaighdeáin comhsheasmhacha agus seirbhís eisceachtúil do chustaiméirí.
Déan teagmháil linn inniu chun tuilleadh a fhoghlaim faoinár dTráidire Eitseála Plasma ICP.

Paraiméadair Tráidire Eitseála Plasma ICP

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J kg- 1 K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300