Suiméirí Epi-Wafer SiC

Déantar formhaltóirí epi-wafer Semicorex SiC déanta as graifít SiC-brataithe chun aonfhoirmeacht teirmeach eisceachtúil agus cobhsaíocht cheimiceach a sholáthar i bpróisis fáis epitaxial ardteochta. Tá Semicorex tiomanta do tháirgí den chaighdeán is airde agus an tseirbhís is fearr a sholáthar do chustaiméirí ar fud an domhain. Le saineolas teicniúil láidir agus cumais déantúsaíochta iontaofa, cabhraímid le comhpháirtithe domhanda feidhmíocht chobhsaí agus luach fadtéarmach a bhaint amach.*

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Ní féidir leat Leathsheoltóirí Leathanbhanda (WBG) a mhonarú - atá riachtanach do réabhlóid na Feithiclí Leictreacha (EVs) agus 5G - gan na hairíonna ábhartha ábhartha a bhunú trí fhás epitaxial. Dearadh Suiméirí Eip-Uiscí Semicorex SiC le húsáid mar bhunsraith (teirmeach/struchtúrach) le haghaidh epitaxy SiC agus GaN. An meascán degraifít iseastatach(seoltacht theirmeach den scoth) le Carbide Sileacain Taisce Ceimiceach (CVD) (Fíorfhriotaíocht Cheimiceach) baintear amach trealamh próisis a cheadaíonn an táirgeacht agus an in-atrialltacht is mó is féidir.

Innealtóireacht an Timpeallacht Teirmeach "Foirfe".

Chun teochtaí fáis epitaxial imleor (os cionn 1,500 °C) a bhaint amach in atmaisféar atá sáithithe i ngás réamhtheachtaithe imoibríocha agus creimneach, dhéanfaí gnáth-iompróir graifíte a dhíghrádú nuair a nochtar é agus dá bhrí sin éillfeadh sé an sliseag. Mar sin féin, tá an SiC Epi-Wafer Susceptors forbartha ag Semicorex tar éis réiteach a bhaint amach trí ard-chomhtháthú ábhar chun bonn cobhsaí a sholáthar don phróiseas epitaxy ar feadh na mílte uair an chloig próisis.

1. Comhionannas Teirmeach Sármhaith

Is é príomhról susceptor gníomhú mar scaiptheoir teasa. Soláthraíonn ár gcroílár grafite isostatach ard-íonachta réimse teirmeach aonfhoirmeach ar fud an dromchla wafer ar fad. Laghdaíonn sé seo "spotaí te" a chuireann faoi deara éagsúlachtaí i dtiús epi-ciseal agus tiúchan dópála. I saol na leictreonaice cumhachta, áit a bhfuil comhsheasmhacht RDS(ar) rí-rí, seachadann ár n-oiriúnóirí an cruinneas teirmeach atá ag teastáil le haghaidh aonfhoirmeacht fo-mhiocrón.

2. Ionchamhlú heirméiteach CVD SiC

Bainimid úsáid as próiseas CVD úrscothach chun sciath dlúth, ultra-íon Carbide Sileacain a chur i bhfeidhm. Ní clúdach amháin atá sa chiseal seo; séala hermetic é.

Sochtadh Cáithníní: Cuireann an sciath cosc ar an tsubstráit graifíte ó eisíontais cosúil le Bórón nó rianta Miotalacha a "dhustáil" nó a ghású isteach sa seomra imoibrithe.

Inertness Ceimiceach: Ársciath SiCneamh-thréscaoilteach do H2, HCl, agus eitseáil amóinia (NH3), atá coitianta in imoibreoirí MOCVD agus SiC Epitaxy.

3. Beachtas CTE Meaitseáil

Ceann de na pointí teip is coitianta i crua-earraí brataithe ná delamination mar gheall ar rothaíocht teirmeach. Roghnaímid gráid graifíte go sonrach le Comhéifeacht Leathnú Teirmeach (CTE) atá sioncronaithe go foirfe leis ansciath SiC. Ligeann an "comhchuibheas leathnaithe" seo d'Fochadáin Epi-Wafer SiC timthriallta tapa suas agus ramp-síos a fhulaingt gan scoilteadh nó feannadh, ag leathnú saol seirbhíse an chomhpháirt suas le 300% i gcomparáid le roghanna eile de chaighdeán an tionscail.

Optamaithe le haghaidh Ardáin Imoibreora Domhanda

Tá taithí fhairsing ag ár bhfoireann innealtóireachta ar susceptors a dhearadh le haghaidh cumraíochtaí imoibreora cothrománacha agus ingearacha araon. Soláthraímid athsholáthar buail isteach agus réitigh saincheaptha-innealta do phríomhchórais OEM an tionscail (lena n-áirítear ardáin AIXTRON, Veeco, agus Tokyo Electron).

Cibé an bhfuil imoibreoir pláinéadach nó uirlis aon-wafer á rith agat, tá ár gcuid susceptors optamaithe le haghaidh:

Dinimic Sreabhadh Gáis:Pócaí meaisínithe go beacht chun sreabhadh laminar trasna an sliseog a chinntiú.

Rothlú Wafer:Cóimheasa meáchain-go-cuimilte optamaithe le haghaidh rothlú cobhsaí, ardluais le linn fáis.

Láimhseáil Uathoibrithe:Imill threisithe chun an strus meicniúil a bhaineann le haistriú sliseog róbait a sheasamh.