Foshraith GaN-on-SiC

Suceptor graifít Semicorex innealtóireacht go sonrach le haghaidh trealamh epitaxy le friotaíocht ard teasa agus creimeadh sa tSín. Tá buntáiste praghais maith ag ár bhfoshraitheóirí GaN-on-SiC Substrate agus clúdaíonn siad go leor de na margaí Eorpacha agus Mheiriceá. Táimid ag tnúth le bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach sa tSín.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Ní mór d’iompróirí wafer Foshraith GaN-on-SiC a úsáidtear i gcéimeanna sil-leagain scannán tanaí nó i bpróiseáil láimhseála sliseog ardteocht agus glanadh ceimiceach crua a sheasamh. Soláthraíonn Semicorex soláthróir foshraith GaN-on-SiC brataithe SiC ard-íonachta friotaíocht teasa níos fearr, fiú aonfhoirmeacht theirmeach le haghaidh tiús agus friotaíocht ciseal epi comhsheasmhach, agus friotaíocht ceimiceach buan. Soláthraíonn sciath criostail Fine SiC dromchla glan, mín, atá ríthábhachtach le láimhseáil ós rud é go dtéann sliseog ghlan i dteagmháil leis an susceptor ag go leor pointí ar fud a limistéir ar fad.

Ag Semicorex, dírímid ar tháirgí ardchaighdeáin, cost-éifeachtach a sholáthar dár gcustaiméirí. Tá buntáiste praghais ag ár n-susceptor Foshraith GaN-on-SiC agus déantar é a onnmhairiú chuig go leor margaí Eorpacha agus Mheiriceá. Tá sé mar aidhm againn a bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach, ag seachadadh táirgí ardchaighdeáin comhsheasmhacha agus seirbhís eisceachtúil do chustaiméirí.

Paraiméadair Suimdeora Foshraith GaN-on-SiC

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J kg- 1 K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300

Gnéithe de Susceptor Foshraith GaN-on-SiC

- Tá dlús maith ag an tsubstráit graifíte agus an ciseal chomhdhúile sileacain araon agus is féidir ról cosanta maith a imirt i dtimpeallachtaí oibre ardteochta agus creimneach.

- Tá maoile dromchla an-ard ag an sopóir brataithe cairbíde sileacain a úsáidtear le haghaidh fás criostail aonair.

- Laghdaigh an difríocht i gcomhéifeacht leathnú teirmeach idir an tsubstráit graifíte agus an ciseal chomhdhúile sileacain, feabhas a chur go héifeachtach ar an neart nasctha chun scoilteadh agus dílamadh a chosc.

- Tá seoltacht ard teirmeach ag an tsubstráit graifíte agus an ciseal chomhdhúile sileacain, agus tá airíonna dáileadh teasa den scoth.

- Leáphointe ard, friotaíocht ocsaídiúcháin teocht ard, friotaíocht creimeadh.