Bairille SiC do Silicon Epitaxy

Bairille Semicorex SiC Do Sileacan Tógtar Epitaxy ag baint úsáide as ábhar graifíte atá brataithe le Silicon Carbide (SiC). Cinntíonn an tógáil uathúil seo friotaíocht sármhaith le turraingí teirmeacha agus le díghrádú ceimiceach, ag síneadh saolré an susceptor agus ag cothabháil iontaofacht an phróisis.

Soláthraíonn an sciath SiC chun cinn ar SiC Barrel For Silicon Epitaxy seoltacht teirmeach níos fearr agus dáileadh teasa, ag cur próifílí teochta aonfhoirmeacha chun cinn ar fud an susceptor. Feabhsaíonn sé seo rialú próisis, íoslaghdaíonn sé grádáin teirmeach, agus cinntíonn sé fás ciseal epitaxial comhsheasmhach, rud a fhágann go bhfuil scannáin sileacain ardchaighdeáin le haonfhoirmeacht agus íonacht eisceachtúil.

Is féidir ár SiC Barrel For Silicon Epitaxy a shaincheapadh chun freastal ar riachtanais agus roghanna sonracha. Ó choigeartuithe méide go héagsúlachtaí tiús brataithe, cuirimid solúbthacht ar fáil sa dearadh chun freastal ar pharaiméadair phróisis éagsúla agus chun an fheidhmíocht a bharrfheabhsú d’fheidhmchláir shonracha.

Cuireann Ár Bairille SiC Do Silicon Epitaxy iontaofacht agus fad saoil ar fáil, rud a laghdóidh downtime agus costais chothabhála a bhaineann le hathsholáthar go minic. Cuireann a thógáil láidir agus a fheidhmíocht eisceachtúil le héifeachtúlacht próisis fheabhsaithe, ag cur le táirgiúlacht agus cost-éifeachtúlacht ar deireadh thiar d'oibríochtaí déantúsaíochta leathsheoltóra.