> Nuacht

Nuacht

Maidir le lochtanna i gcriostal SiC - Micripíopa

Is féidir le lochtanna micreascópacha a bheith ag tsubstráit SiC, mar shampla Dislocation Scriú Snáithe (TSD), Snáithe Imeall Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD), agus daoine eile. Is é is cúis leis na lochtanna seo ná diallais i socrú na n-adamh ag an leibhéal adamhach. D'fhéadfadh disl......

Leigh Nios mo

Why choose liquid phase epitaxy method?

I gcomparáid leis an modh PVT, tá na buntáistí seo a leanas ag an modh céim leachtach chun SiC a fhás:

Leigh Nios mo

Cad é epitaxy chéim leachta?

Tá an modh céim leachtach níos gaire do na coinníollacha cothromaíochta teirmidinimiciúla agus tá sé in ann criostail SiC a fhás le caighdeán níos fearr.

Leigh Nios mo

Cumhdach TaC

De réir thorthaí an taighde, is féidir le sciath TaC feidhmiú mar chiseal cosanta agus leithlisithe chun saol comhpháirte graifíte a leathnú, aonfhoirmeacht teocht gathacha a fheabhsú, stoichiometry sublimation SiC a chothabháil, imirce eisíontas a chosc, agus tomhaltas fuinnimh a laghdú. I ndeiread......

Leigh Nios mo

Cad é próiseas CVD i leathsheoltóir?

Tagraíonn sil-leagan ceimiceach gaile CVD do dhá amhábhar gásach nó níos mó a thabhairt isteach i seomra imoibrithe faoi choinníollacha folúis agus teocht ard, áit a n-imoibríonn na hamhábhair ghásacha lena chéile chun ábhar nua a fhoirmiú, a thaisceadh ar an dromchla wafer.

Leigh Nios mo

Forbhreathnú ar Fhorbairt an Tionscail Fhótavoltach

Faoi 2027, scoithfidh an ghrianfhótavoltach (PV) gual mar an acmhainn suiteáilte is mó ar domhan. Tá cumas suiteáilte carnach PV gréine beagnach faoi thrí inár réamhaisnéis, ag fás de bheagnach 1,500 gigawatt thar an tréimhse seo, agus sáróidh sé gás nádúrtha faoi 2026 agus gual faoi 2027.

Leigh Nios mo

<...31 32 33 34 35...37 >