Éifeachtaí Deiridh SiC

Is monaróir agus soláthraí ar scála mór é Semicorex Susceptor Graphite Brataithe Silicon Carbide sa tSín. Dírímid ar thionscail leathsheoltóra cosúil le sraitheanna chomhdhúile sileacain agus leathsheoltóra epitaxy. Tá buntáiste praghais maith ag ár SiC End Effector agus clúdaíonn sé go leor de na margaí Eorpacha agus Mheiriceá. Táimid ag tnúth le bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach sa tSín.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Déantar Éifeacht Deiridh Semicorex SiC le graifít Cumhdach Carbide Sileacain (SiC), cuirtear an sciath i bhfeidhm trí mhodh CVD ar ghráid shonracha graifít ard-dlúis, ionas gur féidir é a oibriú san fhoirnéis ardteochta le níos mó ná 3000 ° C in atmaisféar támh, 2200°C i bhfolús.

Tá ár n-Effector Deiridh SiC deartha chun an patrún sreafa gáis laminar is fearr a bhaint amach, ag cinntiú go bhfuil próifíl teirmeach cothrom. Cuidíonn sé seo le haon éilliú nó idirleathadh neamhíonachtaí a chosc, ag cinntiú fás epitaxial ardcháilíochta ar an sliseanna wafer.

Déan teagmháil linn inniu chun tuilleadh a fhoghlaim faoinár Éifeachtaí Deiridh SiC.

Paraiméadair Éifeachtaí Deiridh SiC

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J kg- 1 K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300