Bád Wafer Leathsheoltóra

Soláthraíonn Semicorex báid wafer, pedestals, agus iompróirí wafer saincheaptha le haghaidh cumraíochtaí ingearach / colún agus cothrománach araon. Táimid ag monaróir agus ag soláthraí scannán sciath chomhdhúile sileacain le blianta fada. Tá buntáiste praghais maith ag ár mBád Wafer Leathsheoltóra agus clúdaíonn sé an chuid is mó de na margaí Eorpacha agus Mheiriceá. Táimid ag tnúth le bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach sa tSín.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Tá Bád Wafer Leathsheoltóra Semicorex déanta as ceirmeach chomhdhúile sileacain sintéaraithe, a bhfuil friotaíocht maith creimeadh aige agus friotaíocht den scoth le teocht ard agus turraing teirmeach. Seachadann criadóireacht ardfhriotaíocht teirmeach agus marthanacht plasma den scoth agus iad ag maolú cáithníní agus ábhar salaithe d’iompróirí sliseog ard-acmhainne.
Ag Semicorex, dírímid ar Bád Wafer Leathsheoltóra atá ar ardchaighdeán agus atá éifeachtach ó thaobh costais a sholáthar, tugaimid tosaíocht do shástacht na gcustaiméirí agus soláthraímid réitigh atá éifeachtach ó thaobh costais de. Táimid ag tnúth le bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach, ag seachadadh táirgí ardchaighdeáin agus seirbhís eisceachtúil do chustaiméirí.
Déan teagmháil linn inniu chun tuilleadh a fhoghlaim faoinár mBád Wafer Leathsheoltóra.

Paraiméadair Bád Wafer Leathsheoltóra

Airíonna Teicniúla
Innéacs	Aonad	Luach
Ainm Ábhar		Imoibriú Sintered Sileacain Carbide	Carbide Sileacain sintered gan bhrú	Carbide Sileacain athchriostalaithe
Comhdhéanamh		RBSiC	SSiC	R-SiC
Dlús Bulc	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Neart Flexural	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Neart Comhbhrúiteach	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Cruas	Cnaipe	2700	2800	/
Breaking Tenacity	MPa m1/2	4.5	4	/
Seoltacht Theirmeach	W/m.k	95	120	23
Comhéifeacht Leathnú Teirmeach	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Teas Sonrach	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Teocht uasta san aer	℃	1200	1500	1600
Modal Leaisteacha	Gpa	360	410	240

An difríocht idir SSiC agus RBSiC:

1. Tá próiseas shintéirithe difriúil. Is é RBSiC ná Si saor in aisce a insileadh isteach i gcomhdhúile sileacain ag teocht íseal, cruthaítear SSiC trí chrapadh nádúrtha ag 2100 céim.

2. Tá dromchla smoother, dlús níos airde agus neart níos airde ag SSiC, i gcás roinnt séalaithe le ceanglais dromchla níos déine, beidh SSiC níos fearr.

3. Am a úsáidtear difriúil faoi PH agus teocht éagsúla, tá SSiC níos faide ná RBSiC

Gnéithe de Bhád Wafer Leathsheoltóra

Friotaíocht teasa níos fearr & aonfhoirmeacht teirmeach
Criostail Fine SiC brataithe le haghaidh dromchla réidh
Ard-marthanacht i gcoinne glanadh ceimiceach
Tá an t-ábhar deartha sa chaoi is nach dtarlóidh scoilteanna agus delamination.