Iompróir Cumhdach RTP/RTA SiC

Déantar Iompróir Cumhdach Semicorex RTP/RTA SiC a innealtóireacht chun na coinníollacha is deacra a sheasamh i dtimpeallacht na sil-leagain. Leis an teas ard agus friotaíocht creimeadh, tá an táirge seo deartha chun an fheidhmíocht is fearr a sholáthar d'fhás epitaxial. Tá seoltacht ard teirmeach ag an iompróir brataithe SiC agus airíonna dáileadh teasa den scoth, rud a chinntíonn feidhmíocht iontaofa do RTA, RTP, nó do ghlanadh ceimiceach crua.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Is é ár n-Iompróir Cumhdach RTP/RTA SiC le haghaidh MOCVD Epitaxial Growth an réiteach foirfe le haghaidh láimhseáil wafer agus próiseáil fáis epitaxial. Le dromchla réidh agus ard-mharthanacht i gcoinne glanadh ceimiceach, cuireann an táirge seo feidhmíocht iontaofa ar fáil i dtimpeallachtaí taiscthe crua.
Déantar ábhar ár n-iompróir brataithe RTP/RTA SiC a innealtóireacht chun scoilteanna agus dílamadh a chosc, agus cinntíonn an friotaíocht teasa níos fearr agus aonfhoirmeacht teirmeach feidhmíocht chomhsheasmhach do RTA, RTP, nó glanadh ceimiceach crua.
Déan teagmháil linn inniu chun tuilleadh a fhoghlaim faoinár n-iompróir sciath RTP/RTA SiC

Paraiméadair Iompróra Cumhdach RTP/RTA SiC

Príomh-Sonraíochtaí Cumhdach CVD-SIC
Airíonna SiC-CVD
Struchtúr Criostail	FCC β céim
Dlús	g/cm³	3.21
Cruas	Vickers cruas	2500
Méid Grán	μm	2~10
Íonacht Cheimiceach	%	99.99995
Cumas Teasa	J kg- 1 K-1	640
Teocht sublimation	℃	2700
Neart Felexural	MPa (RT 4 phointe)	415
Modal Óg	Gpa (lúb 4pt, 1300 ℃)	430
Leathnú Teirmeach (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Seoltacht theirmeach	(W/mK)	300

Gnéithe den Iompróir Cumhdach RTP/RTA SiC

Graifít brataithe SiC ardíonachta
Friotaíocht teasa níos fearr & aonfhoirmeacht teirmeach
Criostail Fine SiC brataithe le haghaidh dromchla réidh
Ard-marthanacht i gcoinne glanadh ceimiceach
Tá an t-ábhar deartha sa chaoi is nach dtarlóidh scoilteanna agus delamination.