Glacadóir Epitaxial

Is comhpháirt ardfheidhmíochta é Semicorex Epitaxial Susceptor atá deartha go sonrach chun tacaíocht a thabhairt do agus a shealbhú sliseog SiC le linn an phróisis fáis epitaxial i ndéantúsaíocht leathsheoltóra. Tá an t-ardshúchán seo déanta as bonn graifíte ardcháilíochta, atá brataithe le sraith de Chairbíd Sileacain (SiC), a sholáthraíonn feidhmíocht eisceachtúil faoi dhianchoinníollacha próisis ardteochta epitaxy. Feabhsaíonn an sciath SiC seoltacht theirmeach, neart meicniúil agus friotaíocht ceimiceach an ábhair, rud a chinntíonn cobhsaíocht agus iontaofacht níos fearr i bhfeidhmchláir láimhseála leathsheoltóra.

Príomhghnéithe

• Seoltacht Ard Teirmeach:Tugann an t-ábhar graifíte SiC-brataithe seoltacht theirmeach den scoth, atá riachtanach chun dáileadh teochta aonfhoirmeach a choinneáil ar fud an wafer le linn an phróisis epitaxial. Cinntíonn sé seo fás optamach sraitheanna SiC ar an tsubstráit, ag laghdú grádáin teirmeacha agus ag feabhsú comhsheasmhacht próisis.
• Sármharthanacht:Feabhsaíonn an sciath SiC go mór an fhriotaíocht ar turraing teirmeach agus caitheamh meicniúil, ag leathnú saolré an susceptor. Tá sé seo ríthábhachtach i dtimpeallachtaí ardteochta áit a gcaithfidh an comhpháirt rothaíocht leanúnach idir teocht ard agus teocht íseal a sheasamh gan díghrádú.
• Friotaíocht Cheimiceach Feabhsaithe:Soláthraíonn an sciath SiC friotaíocht den scoth do chreimeadh ceimiceach, go háirithe i láthair gáis imoibríocha agus teochtaí arda, atá coitianta i bpróisis epitaxial. Méadaíonn sé seo iontaofacht an susceptor, ag cinntiú gur féidir é a úsáid sna timpeallachtaí déantúsaíochta leathsheoltóra is déine.
• Cobhsaíocht Toiseach:Cuireann an sciath SiC le cobhsaíocht tríthoiseach den scoth fiú ag teochtaí ardaithe, rud a laghdaíonn an baol go dtarlóidh warping nó dífhoirmiúchán. Cinntíonn an ghné seo go gcoimeádann an susceptor a chruth agus a airíonna meicniúla thar úsáid leathnaithe, ag soláthar láimhseáil wafer comhsheasmhach agus iontaofa.
• Cruinneas agus Aonfhoirmeacht:Tá an Susceptor Epitaxial deartha chun socrúchán agus ailíniú beacht wafer a choinneáil, rud a choscann mí-ailíniú le linn an phróisis epitaxial. Cinntíonn an cruinneas seo aonfhoirmeacht i bhfás na sraitheanna SiC, rud atá riachtanach le haghaidh feidhmíocht an fheiste leathsheoltóra deiridh.
• Inoiriúnaitheacht:Is féidir an Susceptor Epitaxial a shaincheapadh chun freastal ar riachtanais shonracha an chustaiméara, mar shampla méid, cruth, agus líon na sliseog atá le coinneáil, rud a fhágann go bhfuil sé oiriúnach do raon leathan imoibreoirí agus próisis epitaxial.

Feidhmchláir sa Tionscal Leathsheoltóra

Tá ról ríthábhachtach ag an Susceptor Epitaxial le sciath SiC sa phróiseas fáis epitaxial, go háirithe le haghaidh sliseog SiC a úsáidtear i bhfeistí leathsheoltóra ard-chumhachta, ardteochta agus ardvoltais. Is éard atá i gceist leis an bpróiseas fáis epitaxial ná sraith tanaí ábhar, go minic SIC, a chur ar shlisbhearcán foshraithe faoi choinníollacha rialaithe. Is é ról an chumhdóra an sliseog a thacú agus a choinneáil in áit le linn an phróisis seo, ag cinntiú go nochtar go cothrom do gháis sil-leagan ceimiceach gaile (CVD) nó d’ábhair réamhtheachtaithe eile a úsáidtear don fhás.

Úsáidtear foshraitheanna SiC níos mó sa tionscal leathsheoltóra mar gheall ar a gcumas coinníollacha foircneacha a sheasamh, mar shampla ardvoltas agus teocht, gan cur isteach ar fheidhmíocht. Tá an Susceptor Eipidaxial deartha chun tacú le sliseog SiC le linn an phróisis epitaxial, a dhéantar de ghnáth ag teochtaí os cionn 1,500 ° C. Cinntíonn an sciath SiC ar an susceptor go bhfanann sé láidir agus éifeachtach i dtimpeallachtaí ardteochta den sórt sin, áit a ndíghrádódh gnáthábhair go tapa.

Is comhpháirt ríthábhachtach é an Susceptor Epitaxial i dtáirgeadh feistí cumhachta SiC, mar shampla dé-óid ard-éifeachtúlachta, trasraitheoirí, agus feistí leathsheoltóra cumhachta eile a úsáidtear i bhfeithiclí leictreacha, córais fuinnimh in-athnuaite, agus feidhmeanna tionsclaíocha. Éilíonn na feistí seo sraitheanna epitaxial ardcháilíochta, saor ó locht le haghaidh feidhmíochta optamach, agus cabhraíonn an Susceptor Epitaxial é seo a bhaint amach trí phróifílí teochta cobhsaí a chothabháil agus éilliú a chosc le linn an phróisis fáis.

Buntáistí Thar Ábhair Eile

I gcomparáid le hábhair eile, mar shampla graifít lom nó susceptors sileacain-bhunaithe, cuireann an Susceptor Epitaxial le sciath SiC bainistíocht teirmeach níos fearr agus sláine meicniúil ar fáil. Cé go soláthraíonn graifít seoltacht theirmeach maith, is féidir teorainn a chur lena éifeachtúlacht maidir le hiarratais éilitheacha mar gheall ar a bheith so-ghabhálach i leith ocsaídiúcháin agus caitheamh ag teochtaí arda. Ní hamháin go bhfeabhsaíonn an sciath SiC seoltacht theirmeach an ábhair, áfach, ach cinntíonn sé freisin gur féidir leis coinníollacha crua na timpeallachta fáis epitaxial a sheasamh, áit a bhfuil nochtadh fada le teochtaí arda agus gáis imoibríocha coitianta.

Ina theannta sin, cinntíonn an súdóir atá brataithe le SiC nach gcuirfear isteach ar dhromchla an sliseog le linn na láimhseála. Tá sé seo thar a bheith tábhachtach agus tú ag obair le sliseog SiC, ar minic iad an-íogair d’éilliú dromchla. Laghdaíonn ard-íonacht agus friotaíocht ceimiceach an sciath SiC an baol éillithe, ag cinntiú sláine an wafer ar feadh an phróisis fáis.

Is comhpháirt fíor-riachtanach don tionscal leathsheoltóra é Susceptor Epitaxial Semicorex le sciath SiC, go háirithe do phróisis a bhaineann le láimhseáil wafer SiC le linn fáis epitaxial. Mar gheall ar a seoltacht theirmeach níos fearr, a marthanacht, a fhriotaíocht cheimiceach, agus a chobhsaíocht tríthoiseach, is réiteach idéalach é do thimpeallachtaí déantúsaíochta leathsheoltóra ardteochta. Leis an gcumas an susceptor a shaincheapadh chun freastal ar riachtanais shonracha, cinntíonn sé cruinneas, aonfhoirmeacht, agus iontaofacht i bhfás sraitheanna SiC ardteochta le haghaidh feistí cumhachta agus iarratais leathsheoltóra chun cinn eile.