Foshraitheanna leath-inslithe 12-orlach SIC

Is ionann foshraitheanna leath-inslithe leath-inslithe SEMICOREX 12-orlach agus ceannródaíocht in ábhair leathsheoltóra na chéad ghlúine eile, ag tairiscint feidhmíocht neamh-chomhoiriúnaithe le haghaidh feidhmeanna ardmhinicíochta, ardchumhachta agus frithsheasmhach in aghaidh radaíochta. Tá na foshraitheanna SIC mór-trastomhas seo deartha le haghaidh ard-RF, micreathonn, agus monaraithe feiste cumhachta, agus is féidir éifeachtúlacht, iontaofacht agus inscálaitheacht fheiste níos fearr a chumasú.

Déantar innealtóireacht ar ár bhfoshraitheanna SIC leath-inslithe 12-orlach ag baint úsáide as teicneolaíochtaí ardfháis agus próiseála chun ard-dlús íonachta agus íos-lochtanna a bhaint amach. Le friotachas níos mó ná 10⁹ ω · cm de ghnáth, cuireann siad cosc ​​ar sheoladh seadánach go héifeachtach, ag cinntiú aonrú is fearr. Taispeánann an t-ábhar seoltacht theirmeach den scoth (> 4.5 w/cm · k), cobhsaíocht cheimiceach níos fearr, agus neart réimse leictreach miondealú, rud a chiallaíonn go bhfuil sé oiriúnach do thimpeallachtaí éilitheacha agus ailtireachtaí feiste ceannródaíocha.

Is ábhar leathsheoltóra cumaisc é Silicon Carbide (SIC) atá comhdhéanta de charbón agus sileacain. Tá sé ar cheann de na hábhair idéalach chun feistí ardteochta, ardmhinicíochta, ardchumhachta agus ardvoltais a dhéanamh. I gcomparáid le hábhair sileacain thraidisiúnta (IR), tá leithead an bhanda de shilicon carbide 3 huaire níos mó ná sileacain; Tá an seoltacht theirmeach 4-5 huaire níos mó ná sileacain; Is é an voltas miondealú 8-10 huaire an voltas sileacain; Is é an ráta sruth sáithiúcháin leictreon ná 2-3 huaire níos mó ná sileacain, a fhreastalaíonn ar riachtanais an tionscail nua-aimseartha le haghaidh ardchumhachta, ardvoltais, agus ardmhinicíochta. Úsáidtear é den chuid is mó chun comhpháirteanna leictreonacha ardluais, ardmhinicíochta, ardchumhachta agus astaithe solais a dhéanamh. I measc na gceantar iarratais iartheachtacha tá greillí cliste, feithiclí fuinnimh nua, cumhacht gaoithe fótavoltach, cumarsáid 5G, etc. I réimse na bhfeistí cumhachta, tá tús curtha ag dé -óidí carbide sileacain agus MOSFETs le feidhmchláir tráchtála.

Cuimsíonn slabhra tionscail Silicon Carbide foshraitheanna, eipidít, dearadh feiste, déantúsaíocht, pacáistiú agus tástáil. Ó ábhair go feistí cumhachta leathsheoltóra, rachaidh Silicon Carbide trí fhás criostail aonair, slisniú tinne, fás eipiciúil, dearadh sliseog, déantúsaíocht, pacáistiú agus sreafaí próisis eile. Tar éis púdar cairbíde sileacain a shintéisiú, déantar tinní cairbíde sileacain den chéad uair, agus ansin faightear foshraitheanna cairbíde sileacain trí slisniú, meilt agus snasú, agus déantar fás eipiciúil chun sliseoga eipidíteacha a fháil. Tá na sliseoga eipideacha faoi réir próisis mar fhótailitheagrafaíocht, eitseáil, ionchlannú ian, agus éighníomhach miotail chun sliseoga cairbíde sileacain a fháil, a ghearrtar i mbás agus a phacáistiú chun feistí a fháil. Déantar na feistí a chomhcheangal agus a chur isteach i dtithíocht speisialta chun modúil a chur le chéile.

Ó pheirspictíocht na n-airíonna leictriceimiceacha, is féidir ábhair fhoshraithe cairbíde sileacain a roinnt ina bhfoshraitheanna seoltaí (raon friotachais 15 ~ 30mΩ · cm) agus foshraitheanna leath-inslithe (friotachas níos airde ná 105Ω · cm). Úsáidtear an dá chineál seo foshraitheanna chun feistí scoite a mhonarú mar fheistí cumhachta agus feistí minicíochta raidió tar éis fás eipiciúil. Ina measc, úsáidtear foshraitheanna SIC leath-inslithe 12 orlach go príomha chun feistí minicíochta raidió gallium nítríde a mhonarú, feistí optoelectronic, srl. mar Hemt. Úsáidtear foshraitheanna carbide sileacain seoltaí go príomha chun feistí cumhachta a mhonarú. Murab ionann agus an próiseas monaraithe feiste cumhachta traidisiúnta sileacain, ní féidir feistí cumhachta silicon cairbíd a dhéanamh go díreach ar fhoshraith chomhdhúile sileacain. Tá sé riachtanach ciseal eipiciúil cairbíde sileacain a fhás ar fhoshraith seoltaí chun sliseog epitaxial cairbíde sileacain a fháil, agus ansin déantúsaíocht Schottky Diodes, MOSFETS, IGBTanna agus feistí cumhachta eile ar an gciseal epitaxial.