6 Orlach N-cineál SiC Wafer

Soláthraíonn Semicorex cineálacha éagsúla sliseog SiC 4H agus 6H. Táimid tar éis monaróir agus soláthraí na sliseog le blianta fada. Tá buntáiste praghais maith ag ár 6 Inch N-cineál SiC Wafer dúbailte-snasta agus clúdaíonn sé an chuid is mó de na margaí Eorpacha agus Mheiriceá. Táimid ag tnúth le bheith i do chomhpháirtí fadtéarmach sa tSín.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Tá líne iomlán táirgí wafer chomhdhúile sileacain (SiC) ag Semicorex, lena n-áirítear foshraitheanna 4H agus 6H le sliseog leath-inslithe N-cineál, P-cineál agus ardíonachta, is féidir leo a bheith le nó gan epitaxy. Is é ár tsubstráit 4-orlach N-cineál SiC (chomhdhúile sileacain) cineál wafer ard-chaighdeán déanta as criostail amháin de chomhdhúile sileacain le dópáil N-cineál, atá dúbailte snasta.

Úsáidtear 6 Inch N-cineál SiC Wafer go príomha i bhfeithiclí nua fuinnimh, tarchur ardvoltais agus fostáisiún, earraí bán, traenacha ardluais, mótair leictreacha, inverters fótavoltach, soláthairtí cumhachta pulsed agus réimsí eile, a bhfuil na buntáistí a bhaineann le trealamh a laghdú. caillteanas fuinnimh, feabhas a chur ar iontaofacht trealaimh, laghdú ar mhéid an trealaimh agus feabhas a chur ar fheidhmíocht trealaimh, agus tá buntáistí do-athsholáthair acu maidir le feistí leictreonacha cumhachta a dhéanamh.

Míreanna	Táirgeadh	Taighde	Caochadán
Paraiméadair Criostail
Polytype	4H
Earráid treoshuímh dromchla	<11-20 >4±0.15°
Paraiméadair Leictreacha
Dopant	n-cineál Nítrigine
Friotaíocht	0.015-0.025ohm·cm
Paraiméadair Mheicniúla
Trastomhas	150.0±0.2mm
Tiús	350 ±25 μm
Treoshuíomh cothrom bunscoile	[1-100]±5°
Fad comhréidh bunscoile	47.5 ± 1.5mm
Árasán tánaisteach	Dada
teilifís	≤5 μm	≤10 μm	≤15 μm
LTV	≤3 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	≤10 μm(5mm*5mm)
Bow	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Dlúth	≤35 μm	≤45 μm	≤55 μm
Garbhacht tosaigh (Si-aghaidh) (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Struchtúr
Dlús an mhicrea-phíobáin	<1 ea/cm2	<10 ea/cm2	<15 ea/cm2
Neamhíonachtaí miotail	≤5E10adamh/cm2		SIN
BPD	≤1500ea/cm2	≤3000ea/cm2	SIN
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000ea/cm2	SIN
Cáilíocht Tosaigh
Tosaigh	Agus
Críochnú dromchla	Si-aghaidh CMP
Cáithníní	≤60ea/wafer (méid≥0.3μm)	SIN
scratches	≤5ea/mm. Fad carnach ≤ Trastomhas	Fad carnach≤2* Trastomhas	SIN
Craiceann oráiste / claiseanna / stains / stríoca / scoilteanna / éilliú	Dada		SIN
Sceallóga imill / fleasc / briste / plátaí heicsidheachúlach	Dada
Réimsí polytype	Dada	Achar carnach ≤20%	Achar carnach ≤30%
Marcáil léasair tosaigh	Dada
Cáilíocht Ar Ais
Críoch ar ais	C-aghaidh CMP
scratches	≤5ea/mm, Fad carnach≤2* Trastomhas	SIN
Lochtanna cúil (sliseanna imeall/fleasc)	Dada
Ar ais roughness	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Marcáil léasair ar ais	1 mm (ón imeall barr)
Imeall
Imeall	Chamfer
Pacáistiú
Pacáistiú	Epi-réidh le pacáistiú i bhfolús Pacáistiú caiséad il-wafer
*Nótaí: ciallaíonn "NA" aon iarratas Féadfaidh míreanna nach luaitear tagairt a dhéanamh do SEMI-STD.