Fáinne Fócais SiC

Is comhpháirt cruth fáinne cruinneas-innealtóireacht é Fáinne Fócais Semicorex SiC, a mhonaraítear ag cairbíd sileacain ard-íonachta. Tá an Fáinne Fócas SiC deartha le haghaidh feidhmchláir ardphróiseála leathsheoltóra. Soláthraíonn cairbíd sileacain ard-íonachta feidhmíocht den scoth i dtéarmaí cobhsaíocht theirmeach (leáphointe ard), marthanacht mheicniúil (cruas ard), agus airíonna seoltachta leictreach, rud atá ríthábhachtach chun sonraíochtaí go leor teicneolaíochtaí déantúsaíochta wafer den chéad ghlúin eile a mheaitseáil. Is comhpháirteanna iad Fáinne Fócais SiC a fhaightear in eitseáil plasma agus comhpháirteanna seomra sil-leagan, agus tá ról ríthábhachtach acu maidir le dáileadh plasma a rialú, aonfhoirmeacht wafer a bhaint amach, agus toradh i olltáirgeadh.

Tá íonacht ábhartha agus feidhmíocht leictreach Fáinne Fócas SiC ar chuid de na fachtóirí is tábhachtaí a shainíonn an comhpháirt seo agus a dhifreálann sé ó ábhair ceirmeacha. Ard-íonachtachomhdhúile sileacainmurab ionann agus ábhair ceirmeacha traidisiúnta, ós rud é go soláthraíonn sé meascán de 

cruas chomh maith le friotaíocht a lán ceimiceán, agus airíonna uathúla leictreacha. Níos tábhachtaí fós, is féidir cairbíd sileacain ard-íonachta a innealtóireacht trí úsáid a bhaint as dopants agus modhanna próiseála chun na leibhéil feidhmíochta seoltacha nó maslacha is oiriúnaí a tháirgeadh leis an gcothromaíocht leathsheoltach idéalach chun idirghníomhú leis an plasma, rud a cheadaíonn feidhmíocht chobhsaí i dtimpeallachtaí ardfhuinnimh nuair is dóichí go n-eascraíonn ardú muirir agus éagothroime leictreach earráidí próisis.

Mar gheall ar éifeacht imeall plasma, tá an dlús níos airde sa lár agus níos ísle ag na himill. Gineann an fáinne fócais, trína chruth annular agus airíonna ábhartha CVD SiC, réimse leictreach ar leith. Treoraíonn agus teorannaíonn an réimse seo na cáithníní luchtaithe (ian agus leictreoin) sa phlasma go dtí an dromchla sliseog, go háirithe ag an imeall. Ardaíonn sé seo go héifeachtach an dlús plasma ag an imeall, rud a thugann níos gaire dó sin sa lár. Feabhsaíonn sé seo go mór aonfhoirmeacht eitseála trasna na sliseog, laghdaítear damáiste imeall, agus méadaíonn sé an toradh.

Próiseálann Déantúsaíocht Mearcair an Fáinne Fócais SiC ag baint úsáide as próisis meaisínithe agus snasta sofaisticiúla a bhaineann lamháltais dhian-thoiseacha amach agus bailchríoch dromchla réidh. Cumasaíonn cruinneas tríthoiseach na gcomhpháirteanna seo comhoiriúnacht leis na soláthraithe trealaimh leathsheoltóra éagsúla chun idirmhalartaithe a áirithiú thar go leor córais eitse agus sil-leagan plasma. Is féidir dearaí saincheaptha a fhorbairt freisin chun freastal ar riachtanais phróisis shonracha lena n-áirítear tiús fáinne, trastomhas istigh agus seachtrach, agus leibhéil seoltachta dromchla.

Clúdaíonn feidhmeanna Fáinne Fócais SiC raon leathan i ndéantúsaíocht leathsheoltóra: DRAM, NAND flash, feistí loighic, agus teicneolaíochtaí nua leathsheoltóra cumhachta. De réir mar a laghdaíonn céimseataí gléasanna agus go leanann siad ar aghaidh ag dul chun cinn trí nóid phróisis, éiríonn an gá le comhpháirteanna seomra cobhsaí an-iontaofa mar an Fáinne Fócais SiC criticiúil. Tugann Fáinne Fócais SiC rialú beacht ar an plasma agus feabhsaíonn sé cáilíocht sliseog go seasta, ag cur uaillmhianta an tionscail chun cinn i dtreo gléasanna leictreonacha atá níos lú, níos tapúla agus níos éifeachtaí. Sainmhíníonn Fáinne Fócais Semicorex SiC pointe trasnaithe na heolaíochta ábhar, innealtóireacht bheachtais, agus éabhlóid an phróisis leathsheoltóra. Tá cobhsaíocht theirmeach den scoth ag Fáinne Fócas SiC, friotaíocht ceimiceach níos fearr, agus seoltacht leictreach in aice le sainiúil. Déanann na gnéithe seo comhpháirt ríthábhachtach chun iontaofacht agus toradh a chinntiú le linn próisis.