SiC Epitaxy

Soláthraíonn Semicorex scannán tanaí saincheaptha (cairbíd sileacain) epitaxy SiC ar foshraitheanna chun feistí cairbíde sileacain a fhorbairt.

Is féidir SiC epitaxy a shaincheapadh chun freastal ar riachtanais fheiste ar leith trí dopants a ionchorprú nó treoshuímh criostail éagsúla a fhás. Ceadaíonn dópáil an chiseal epitaxial le neamhíonachtaí cosúil le nítrigin nó alúmanam airíonna leictreacha a mhodhnú, mar shampla tiúchan an iompróra a rialú nó acomhail p-n a chruthú.

Déantar cáilíocht na ciseal epitaxial SiC a mheas trí theicnící tréithrithe éagsúla, lena n-áirítear díraonadh X-gha, scanadh micreascópachta leictreon, micreascópacht fórsa adamhach, agus tomhais leictreacha. Cuidíonn na teicnící seo le meastóireacht a dhéanamh ar struchtúr criostail, ar mhoirfeolaíocht an dromchla, agus ar fheidhmíocht leictreach an chiseal epitaxial.

Is féidir le Semicorex a thairiscint: Wafer epitaxial SiC, wafer epitaxial GaN, Si Epitaxy, wafer SiC, etc.