> Nuacht

Nuacht

Criadóireacht SiC: An t-ábhar fíor-riachtanach le haghaidh Comhpháirteanna Ardchruinneas i Déantúsaíocht Leathsheoltóra

Tá déantúsaíocht leathsheoltóra, bunchloch an dul chun cinn teicneolaíochta nua-aimseartha, sa tóir go seasta ar chiorcaid iomlánaithe níos lú, níos tapúla agus níos éifeachtaí. Tiomáineann an tóir gan staonadh seo an gá atá le próisis déantúsaíochta atá ag éirí níos beaichte agus níos sofaisticiúla......

Leigh Nios mo

Criadóireacht Carbide Sileacain agus a bPróisis Éagsúla Déantúsaíochta

Tugann an páipéar seo forbhreathnú cuimsitheach ar na teicníochtaí déantúsaíochta éagsúla a úsáidtear chun criadóireacht dhlúth SiC a tháirgeadh, ag cur béime ar a saintréithe agus a bhfeidhmchláir uathúla.

Leigh Nios mo

Cad is céim grafitization ann?

Is beart riachtanach é an méid graifíte a úsáidtear chun measúnú a dhéanamh ar chomh gar agus atá adaimh charbóin chun struchtúr criostail graifíte heicseagánach atá pacáilte go docht a fhoirmiú.

Leigh Nios mo

Teicneolaíocht Chuck Leictreastatach a Dhí-mhilleadh (ESC) i Láimhseáil Wafer

Tá chucks leictreastatacha (ESCanna) tar éis éirí fíor-riachtanach i ndéantúsaíocht leathsheoltóra agus i dtáirgeadh taispeáint painéil chomhréidh, ag tairiscint modh an-inrialaithe saor ó dhamáiste chun sliseoga agus foshraitheanna íogair a shealbhú agus a shuíomh le linn céimeanna ríthábhachtacha ......

Leigh Nios mo

Próiseas fáis scannán tanaí

Roinntear scannáin tanaí coitianta go príomha i dtrí chatagóir: scannáin tanaí leathsheoltóra, scannáin tanaí tréleictreacha, agus scannáin tanaí cumaisc miotail / miotail.

Leigh Nios mo

Heteroepitaxy de 3C-SiC: Forbhreathnú

Léiríonn forbairt 3C-SiC, polytype suntasach de chomhdhúile sileacain, dul chun cinn leanúnach na heolaíochta ábhar leathsheoltóra. Sna 1980í, Nishino et al. ar dtús baineadh amach scannán 3C-SiC 4 µm tiubh ar fhoshraith sileacain ag baint úsáide as sil-leagan ceimiceach gaile (CVD)[1], ag leagan an......

Leigh Nios mo

<...14 15 16 17 18...37 >