Cad é an próiseas epitaxial SiC?

Sa réimse ardvoltais, go háirithe le haghaidh feistí ardvoltais os cionn 20,000V, anSiC epitaxialtá roinnt dúshlán fós le sárú ag an teicneolaíocht. Is é ceann de na príomhdheacrachtaí ná aonfhoirmeacht ard, tiús, agus tiúchan dópála a bhaint amach sa chiseal epitaxial. Chun feistí ardvoltais den sórt sin a mhonarú, tá gá le wafer epitaxial chomhdhúile sileacain 200um tiubh le aonfhoirmeacht agus tiúchan den scoth.

 

Mar sin féin, nuair a bhíonn scannáin SiC tiubh á dtáirgeadh le haghaidh feistí ardvoltais, is féidir go dtarlódh lochtanna iomadúla, go háirithe lochtanna triantánacha. Is féidir tionchar diúltach a bheith ag na lochtanna seo ar ullmhú feistí ard-reatha. Go háirithe, nuair a úsáidtear sceallóga limistéir mhóra chun sruthanna ard a ghiniúint, laghdaítear go mór saolré iompróirí mionlaigh (cosúil le leictreoin nó poill). Is féidir leis an laghdú seo ar shaolré an iompróra a bheith ina fhadhb maidir leis an réamhshruth inmhianaithe a bhaint amach i bhfeistí dépholach, a úsáidtear go coitianta in iarratais ardvoltais. Chun an réamhshruth atá ag teastáil a fháil sna gléasanna seo, ní mór do shaolré an iompróra mionlaigh a bheith ar a laghad 5 mhicrea-shoicind nó níos faide. Mar sin féin, is é an paraiméadar saoil iompróra mionlaigh tipiciúil le haghaidhSiC epitaxialsliseog thart ar 1 go 2 microseconds.

 

Dá bhrí sin, cé go bhfuil anSiC epitaxialTá an próiseas tar éis aibíocht a bhaint amach agus is féidir leis riachtanais iarratais ísealvoltais agus meánmhéide a chomhlíonadh, tá gá le tuilleadh dul chun cinn agus cóireálacha teicniúla chun na dúshláin in iarratais ardvoltais a shárú. Tá feabhsuithe ar aonfhoirmeacht tiús agus tiúchan dópála, laghdú ar lochtanna triantánacha, agus feabhas a chur ar shaolré an iompróra mionlaigh ina réimsí a dteastaíonn aird agus forbairt orthu chun cur i bhfeidhm rathúil na teicneolaíochta epitaxial SiC i bhfeistí ardvoltais a chumasú.