Why choose liquid phase epitaxy method?

Mar gheall ar airíonna uathúla SiC tá sé dúshlánach criostail aonair a fhás. Ní féidir na modhanna fáis traidisiúnta a úsáidtear sa tionscal leathsheoltóra, amhail an modh tarraingthe díreach agus an modh íslitheach breogán, a chur i bhfeidhm toisc nach bhfuil céim leachta Si:C = 1:1 ag brú an atmaisféir. Éilíonn an próiseas fáis brú níos mó ná 105 atm agus teocht níos airde ná 3200 ° C chun cóimheas stoichiometric de Si:C = 1:1 a bhaint amach sa tuaslagán, de réir ríomhaireachtaí teoiriciúla.

I gcomparáid leis an modh PVT, tá na buntáistí seo a leanas ag an modh céim leachtach chun SiC a fhás:

1. low dislocation density. the problem of dislocations in SiC substrates has been the key to constrain the performance of SiC devices. Penetrating dislocations and microtubules in the substrate are transferred to the epitaxial growth, increasing the leakage current of the device and reducing the blocking voltage and breakdown electric field. On the one hand, the liquid-phase growth method can significantly reduce the growth temperature, reduce the dislocations caused by thermal stress during cooling down from the high-temperature state, and effectively inhibit the generation of dislocations during the growth process. On the other hand, the liquid-phase growth process can realize the conversion between different dislocations, the Threading Screw Dislocation (TSD) or Threading Edge Dislocation (TED) is transformed into stacking fault (SF) during the growth process, changing the propagation direction, and finally discharged into the layer fault. The propagation direction is changed and finally discharged to the outside of the crystal, realizing the decrease of dislocation density in the growing crystal. Thus, high-quality SiC crystals with no microtubules and low dislocation density can be obtained to improve the performance of SiC-based devices.

2. Tá sé éasca foshraith níos mó a bhaint amach. Tá modh PVT, mar gheall ar an teocht thrasnach deacair a rialú, ag an am céanna, tá an stát céim gáis sa trasghearradh deacair dáileadh teocht cobhsaí a fhoirmiú, is mó an trastomhas, an níos faide an t-am múnlaithe, is deacra. a rialú, tá an costas chomh maith leis an tomhaltas ama mór. Ceadaíonn an modh leachtach-chéim leathnú trastomhas réasúnta simplí tríd an teicníc scaoileadh ghualainn, rud a chabhraíonn le foshraitheanna níos mó a fháil go tapa.

3. Is féidir criostail de chineál P a ullmhú. Modh leachtach-chéim mar gheall ar an brú ardfháis, tá an teocht sách íseal, agus faoi choinníollacha Al nach bhfuil sé éasca a bheith luaineach agus a chailleadh, modh leachtach-chéim ag baint úsáide as réiteach flux leis an Chomh maith Al is féidir a bheith níos éasca a fháil ard. tiúchan iompróra de chriostail SiC de chineál P. Tá modh PVT ard i dteocht, tá an paraiméadar P-cineál éasca le volatilize.

Ar an gcaoi chéanna, tá roinnt fadhbanna deacra ag baint leis an modh leachtach-chéim freisin, mar shampla sublimation flux ag teochtaí arda, rialú tiúchan eisíontais sa chriostail atá ag fás, timfhilleadh flosc, foirmiú criostail snámh, iain miotail iarmharacha sa chomh-tuaslagóir, agus an cóimheas. de C: Ní mór Si a rialú go docht ag 1:1, agus deacrachtaí eile.