Ceann cith CVD SiC

Is comhpháirt riachtanach é Semicorex CVD SiC Showerhead i bpróisis CVD nua-aimseartha chun scannáin tanaí aonfhoirmeacha ardcháilíochta a bhaint amach le héifeachtúlacht agus tréchur feabhsaithe. Mar gheall ar rialú sreafa gáis níos fearr CVD SiC Showerhead, a chuireann le cáilíocht an scannáin, agus an saolré fada tá sé fíor-riachtanach le haghaidh feidhmeanna déantúsaíochta leathsheoltóra éilitheacha.**

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Buntáistí Ceann Cith Semicorex CVD SiC i bPróisis CVD:

1. Dinimic Sreabhadh Gáis Superior:

Dáileadh Gáis Éide:Cinntíonn dearadh beachta an nozzle agus na bealaí dáileacháin laistigh de Cheann Cith CVD SiC sreabhadh gáis an-aonfhoirmeach agus rialaithe ar fud an dromchla sliseog ar fad. Tá an aonchineálacht seo ríthábhachtach chun taisceadh scannáin chomhsheasmhach a bhaint amach le héagsúlachtaí íosta tiús.

Frithghníomhartha Céime Gáis Laghdaithe:Trí na gáis réamhtheachtaithe a dhíriú go díreach i dtreo an sliseog, íoslaghdaíonn Ceann Cith CVD SiC an dóchúlacht go dtarlóidh imoibrithe céim gáis nach dteastaíonn. Mar thoradh air seo is lú foirmiú cáithníní agus feabhsaíonn sé íonacht agus aonfhoirmeacht scannáin.

Rialú Ciseal Teorann Feabhsaithe:Is féidir leis an dinimic sreabhadh gáis cruthaithe ag an CVD SiC Showerhead cabhrú le rialú a dhéanamh ar an gciseal teorann os cionn an dromchla wafer. Is féidir é seo a ionramháil chun rátaí sil-leagan agus airíonna scannáin a bharrfheabhsú.

2. Cáilíocht & Aonfhoirmeacht Scannán Feabhsaithe:

Aonfhoirmeacht Tiús:Aistríonn dáileadh aonfhoirmeach gáis go díreach go tiús scannáin an-aonfhoirmeach trasna sliseog mhóra. Tá sé seo ríthábhachtach maidir le feidhmíocht gléas agus táirgeacht i monarú micrileictreonaic.

Aonfhoirmeacht Chomhdhéanta:Cuidíonn Ceann Cith CVD SiC le tiúchan comhsheasmhach de gháis réamhtheachtaithe a choinneáil ar fud an wafer, ag cinntiú comhdhéanamh aonfhoirmeach scannán agus ag íoslaghdú éagsúlachtaí in airíonna scannáin.

Dlús Lochtanna Laghdaithe:Laghdaíonn an sreabhadh gáis rialaithe suaiteacht agus athfhillteacht laistigh den seomra CVD, ag laghdú giniúint na gcáithníní agus an dóchúlacht go mbeidh lochtanna sa scannán taiscthe.

3. Éifeachtúlacht & Tréchur Feabhsaithe Próisis:

Ráta Méadaithe Taiscí:Seachadann an sreabhadh gáis dírithe ó Cheann Cith CVD SiC réamhtheachtaithe ar bhealach níos éifeachtaí chuig an dromchla sliseog, rud a d’fhéadfadh rátaí sil-leagan a mhéadú agus am próiseála a laghdú.

Tomhaltas Réamhtheachtaithe Laghdaithe:Trí sheachadadh réamhtheachtaithe a bharrfheabhsú agus trí dhramhaíl a íoslaghdú, cuireann Ceann Cith CVD SiC le húsáid níos éifeachtaí ábhar, rud a íslíonn costais táirgthe.

Aonfhoirmeacht Feabhsaithe Teocht Wafer:Ionchorpraíonn roinnt dearaí ceann cith gnéithe a chuireann aistriú teasa níos fearr chun cinn, rud a fhágann go bhfuil teocht wafer níos aonfhoirmí ann agus a fheabhsaíonn aonfhoirmeacht scannáin tuilleadh.

4. Saolré an Chomhpháirt Leathnaithe & Cothabháil Laghdaithe:

Cobhsaíocht Ardteochta:Mar gheall ar airíonna ábhar dúchasacha CVD SiC Showerhead tá sé an-resistant do theocht ard, ag cinntiú go gcoimeádann an ceann cith a sláine agus a fheidhmíocht thar go leor timthriallta próisis.

Inertness Cheimiceach:Léiríonn Ceann Cith CVD SiC friotaíocht níos fearr ar chreimeadh ó na gáis réamhtheachtaithe imoibríocha a úsáidtear i CVD, ag íoslaghdú éillithe agus ag leathnú saolré an chinn cith.

5. Solúbthacht & Saincheapadh:

Dearthaí Saincheaptha:Is féidir Ceann Cith CVD SiC a dhearadh agus a shaincheapadh chun freastal ar riachtanais shonracha próisis CVD éagsúla agus cumraíochtaí imoibreora.

Comhtháthú le hArdteicnící: Tá Semicorex CVD SiC Showerhead ag luí le hardteicnící CVD éagsúla, lena n-áirítear CVD ísealbhrú (LPCVD), CVD plasma-fheabhsaithe (PECVD), agus CVD ciseal adamhach (ALCVD).