Foshraitheanna Ocsaíd Gailliam 4"

Is caibidil nua é Foshraitheanna Ocsaíd Gallium Semicorex 4" i scéal leathsheoltóirí ceathrú glúin, le luas tapa olltáirgeadh agus tráchtálaithe. Léiríonn na foshraitheanna seo buntáistí eisceachtúla d'fheidhmeanna teicneolaíochta éagsúla chun cinn. teicneolaíocht leathsheoltóra ach freisin bealaí nua a oscailt chun éifeachtacht agus feidhmíocht gléas a fheabhsú thar speictream de thionscail ard-geallta.

Seol Fiosrúchán

Cur síos ar an Táirge

Léiríonn Foshraitheanna Ocsaíd Gailliam Semicorex 4 "cobhsaíocht cheimiceach agus theirmeach den scoth, ag cinntiú go bhfanann a fheidhmíocht comhsheasmhach agus iontaofa fiú faoi choinníollacha foircneacha. Tá an láidreacht seo ríthábhachtach in iarratais a bhaineann le teocht ard agus timpeallachtaí imoibríocha. Ina theannta sin, coinníonn na Foshraitheanna Ocsaíd Gailliam 4" trédhearcacht optúil den scoth. trasna raon leathan tonnfhad ó ultraivialait go infridhearg, rud a fhágann go bhfuil sé tarraingteach d'fheidhmchláir optoelectronic lena n-áirítear dé-óid astaithe solais agus dé-óid léasair.

Le bandáil idir 4.7 agus 4.9 eV, sáraíonn na Foshraitheanna Ocsaíd Gailliam 4" Carbide Sileacain (SiC) agus Gailliam Nitride (GaN) go mór i láidreachtaí ríthábhachtacha réimse leictrigh, ag baint amach suas le 8 MV/cm i gcomparáid le 2.5 MV/cm SiC agus 3.3 MV/cm GaN Tugann an airí seo, in éineacht le soghluaisteacht leictreoin de 250 cm²/Vs agus trédhearcacht feabhsaithe maidir le leictreachas a sheoladh, imeall suntasach i leictreonaic cumhachta don Fhoshraitheanna Ocsaíd Gailliam 4". Sáraíonn figiúr fiúntais Baliga 3000, níos mó ná GaN agus SiC, rud a léiríonn éifeachtúlacht níos fearr in iarratais chumhachta.

Tá buntáiste ar leith ag baint le foshraitheanna Ocsaíd Gailliam Semicorex 4 "le húsáid i bhfeithiclí cumarsáide, radair, aeraspáis, iarnróid ardluais, agus feithiclí nua fuinnimh. Tá siad thar a bheith oiriúnach do bhraiteoirí braite radaíochta sna hearnálacha seo, go háirithe i bhfeithiclí ardchumhachta, ardteochta, agus gléasanna ard-minicíochta ina bhfuil buntáistí suntasacha ag Ga2O3 thar SiC agus GaN.