- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nuacht Tionscal
Cumhdach TaC
De réir thorthaí an taighde, is féidir le sciath TaC feidhmiú mar chiseal cosanta agus leithlisithe chun saol comhpháirte graifíte a leathnú, aonfhoirmeacht teocht gathacha a fheabhsú, stoichiometry sublimation SiC a chothabháil, imirce eisíontas a chosc, agus tomhaltas fuinnimh a laghdú. I ndeiread......
Leigh Nios mo
Cad é próiseas CVD i leathsheoltóir?
Tagraíonn sil-leagan ceimiceach gaile CVD do dhá amhábhar gásach nó níos mó a thabhairt isteach i seomra imoibrithe faoi choinníollacha folúis agus teocht ard, áit a n-imoibríonn na hamhábhair ghásacha lena chéile chun ábhar nua a fhoirmiú, a thaisceadh ar an dromchla wafer.
Leigh Nios mo
Forbhreathnú ar Fhorbairt an Tionscail Fhótavoltach
Faoi 2027, scoithfidh an ghrianfhótavoltach (PV) gual mar an acmhainn suiteáilte is mó ar domhan. Tá cumas suiteáilte carnach PV gréine beagnach faoi thrí inár réamhaisnéis, ag fás de bheagnach 1,500 gigawatt thar an tréimhse seo, agus sáróidh sé gás nádúrtha faoi 2026 agus gual faoi 2027.
Leigh Nios mo
Feidhmchláir Tionscail GaN
Níl na réimsí feidhmchláir de GaN atá bunaithe ar SiC agus Si-bhunaithe scartha go docht. I bhfeistí GaN-On-SiC, tá costas tsubstráit SiC sách ard, agus le haibíocht mhéadaithe na teicneolaíochta criostail fhada SiC, táthar ag súil go dtitfidh costas na feiste tuilleadh, agus úsáidtear é i bhfeistí ......
Leigh Nios mo
