Nuacht Tionscal

Cén fáth go roghnódh socheapóirí graifíte SiC-brataithe?

Tá susceptor graifít ar cheann de na codanna riachtanacha sa trealamh MOCVD, is é an t-iompróir agus an téitheoir an tsubstráit wafer. Tá ról cinntitheach ag a n-airíonna a bhaineann le cobhsaíocht theirmeach agus aonfhoirmeacht theirmeach i gcáilíocht fáis epitaxial wafer, a chinneann go díreach ao......

Cad é an próiseas epitaxial SiC?

Sa réimse ardvoltais, go háirithe le haghaidh feistí ardvoltais os cionn 20,000V, tá roinnt dúshlán fós le sárú ag teicneolaíocht epitaxial SiC. Is é ceann de na príomhdheacrachtaí ná aonfhoirmeacht ard, tiús, agus tiúchan dópála a bhaint amach sa chiseal epitaxial. Chun feistí ardvoltais den sórt s......

Fás suntasach ar an margadh súiteora graifíte brataithe SiC

Is é MOCVD an príomhthrealamh

Cistí ar thionscadail leathsheoltóra

Tá gach tír ar an eolas faoi thábhacht sliseanna agus tá sé ag luasghéarú anois ar thógáil a éiceachóras slabhra soláthair déantúsaíochta sliseanna féin chun fadhb ganntanas sliseanna eile a chosc. Ach bheadh ​​na teilgcheártaí chun cinn gan dearthóirí sliseanna den chéad ghlúin eile mar an gcéanna ......

TSMC: Táirgeadh trialach riosca próisis 2nm an bhliain seo chugainn

Ina dtuarascáil bhliantúil nua-eisithe, nocht Cathaoirleach TSMC Deyin Liu agus POF Chieh-Jia Wei an dul chun cinn a bhaineann leis an bpróiseas 2nm.