Sreabhadh Croíphróiseas Foshraith Silicon Carbide

Tsubstráit chomhdhúile sileacainIs leathsheoltóir cumaisc ábhar criostail aonair comhdhéanta de dhá eilimint, carbóin agus sileacain. Tá tréithe bandgap mór aige, seoltacht teirmeach ard, neart réimse miondealú ard criticiúil, agus ráta sruth ard saturation leictreon. De réir réimsí iarratais iartheachtacha éagsúla, áirítear leis an aicmiú lárnach:

1) Cineál seoltaí: Is féidir é a dhéanamh tuilleadh i bhfeistí cumhachta cosúil le dé-óid Schottky, MOSFET, IGBT, etc., a úsáidtear i bhfeithiclí nua fuinnimh, iompar iarnróid, agus tarchur agus claochlú ardchumhachta.

2) Cineál leath-inslithe: Is féidir é a dhéanamh tuilleadh i bhfeistí minicíochta raidió micreathonn cosúil le HEMT, a úsáidtear i gcumarsáid faisnéise, braite raidió agus réimsí eile.

SeoltaFoshraitheanna SiCa úsáidtear go príomha i bhfeithiclí nua fuinnimh, fótavoltach agus réimsí eile. Úsáidtear foshraitheanna SiC leath-inslithe go príomha i minicíocht raidió 5G agus i réimsí eile. Thosaigh an tsubstráit SiC príomhshrutha 6-orlach reatha thar lear thart ar 2010, agus tá an bhearna iomlán idir an tSín agus thar lear i réimse SiC níos lú ná sin leathsheoltóirí traidisiúnta sileacain-bhunaithe. Ina theannta sin, de réir mar a fhorbraíonn foshraitheanna SiC i dtreo méideanna níos mó, tá an bhearna idir an tSín agus thar lear ag caolú. Faoi láthair, tá iarrachtaí déanta ag ceannairí thar lear go 8 orlach, agus is iad na custaiméirí iartheachtacha den chuid is mó de ghrád feithicleach. Go baile, tá na táirgí beaga den chuid is mó, agus táthar ag súil go mbeidh cumas táirgthe mais ar scála mór ag cinn 6-orlach sna 2-3 bliana amach romhainn, agus is custaiméirí de ghrád tionsclaíoch iad na custaiméirí iartheachtacha den chuid is mó.

Tsubstráit chomhdhúile sileacainis tionscal dian-theicneolaíochta agus próiseas é an t-ullmhúchán, agus cuimsíonn an croíshreabhadh próisis:

1. Sintéis amhábhar: déantar púdar sileacain ard-íonachta + púdar carbóin a mheascadh de réir na foirmle, déantar imoibriú orthu sa seomra imoibrithe faoi choinníollacha teocht ard os cionn 2,000 ° C, agus déantar cáithníní de chomhdhúile sileacain de chineál criostail ar leith agus méid na gcáithníní a shintéisiú. Tar éis brúite, scagadh, glanadh agus próisis eile, faightear amhábhair púdar chomhdhúile sileacain ard-íonachta a chomhlíonann riachtanais an fhás criostail.

2. Fás criostail: Is é an próiseas príomhshrutha reatha sa mhargadh modh tarchurtha céim gáis PVT. Déantar púdar cairbíde sileacain a théamh i bhfolús fáis dúnta ag 2300°C chun é a fholimeáil ina ghás imoibrithe. Aistrítear ansin é go dtí dromchla an chriostail síl le haghaidh sil-leagan adamhach agus fástar é ina chriostail singil chomhdhúile sileacain.

Ina theannta sin, beidh an modh céim leachtach mar phróiseas príomhshrutha sa todhchaí. Is é an chúis atá leis ná go bhfuil sé deacair na lochtanna dislocation sa phróiseas fáis criostail den mhodh PVT a rialú. Is féidir leis an modh céim leachtach criostail aonair chomhdhúile sileacain a fhás gan dislocations scriú, dislocations imeall agus beagnach aon lochtanna cruachta toisc go bhfuil an próiseas fáis i gcéim leachtach cobhsaí. Soláthraíonn an buntáiste seo treo tábhachtach eile agus cúlchiste forbartha sa todhchaí do theicneolaíocht ullmhúcháin criostail aonair chomhdhúile sileacain ard-mhéid.

3. Próiseáil criostail, go príomha lena n-áirítear próiseáil tinne, gearradh slat criostail, meilt, snasú, glanadh agus próisis eile, agus ar deireadh foirmiú substráit chomhdhúile sileacain.