Réamhrá le Feistí Cumhachta Silicon Carbide

Cairbíd sileacain (SIC)Is feistí leathsheoltóra iad feistí cumhachta atá déanta as ábhair chomhdhúile sileacain, a úsáidtear go príomha in iarratais leictreonacha ard-minicíochta, ardteochta, ardvoltais agus ardchumhachta. I gcomparáid le feistí cumhachta sileacain traidisiúnta (Si), tá leithead bandgap níos airde ag feistí cumhachta chomhdhúile sileacain, réimse leictreach miondealú criticiúil níos airde, seoltacht teirmeach níos airde agus treoluas srutha leictreoin sáithithe níos airde, rud a fhágann go bhfuil cumas forbartha iontach acu agus luach iarratais sa réimse. leictreonaic cumhachta.

Buntáistí feistí cumhachta SiC

1. Bandgap ard: Tá bandgap SiC thart ar 3.26eV, trí huaire níos mó ná sileacain, a chuireann ar chumas feistí SiC oibriú go cobhsaí ag teochtaí níos airde agus nach bhfuil tionchar éasca ag timpeallachtaí ardteochta orthu.

2. Réimse leictreach miondealaithe ard: Tá neart miondealaithe réimse leictrigh SiC deich n-uaire níos mó ná sileacain, rud a chiallaíonn gur féidir le feistí SiC voltais níos airde a sheasamh gan miondealú, rud a fhágann go bhfuil siad an-oiriúnach d'iarratais ardvoltais.

3. Seoltacht teirmeach ard: Tá seoltacht theirmeach SiC trí huaire níos airde ná sin sileacain, rud a cheadaíonn diomailt teasa níos éifeachtaí, rud a fheabhsóidh iontaofacht agus saol na bhfeistí cumhachta.

4. Treoluas srutha leictreon ard: Tá treoluas srutha sáithiúcháin leictreon SiC faoi dhó níos mó ná sileacain, rud a fhágann go bhfeidhmíonn feistí SiC níos fearr in iarratais ard-minicíochta.

Aicmiú feistí cumhachta cairbíde sileacain

De réir struchtúir agus iarratais éagsúla, is féidir feistí cumhachta chomhdhúile sileacain a roinnt sna catagóirí seo a leanas:

1. Dé-óid SiC: áirítear go príomha dé-óid Schottky (SBD) agus dé-óid PIN. Tá tréithe titim ísealvoltais agus aisghabhála tapa ag dé-óid SiC Schottky, atá oiriúnach d'fheidhmchláir chomhshó cumhachta ard-minicíochta agus ard-éifeachtúlachta.

2. SiC MOSFET: Is gléas cumhachta voltas-rialaithe é a bhfuil tréithe ísealfhriotaíochta agus lasctha tapa aige. Úsáidtear go forleathan é in inverters, feithiclí leictreacha, aistriú soláthairtí cumhachta agus réimsí eile.

3. SiC JFET: Tá tréithe ardvoltais sheasamh aige agus luas lasctha ard, atá oiriúnach d'fheidhmchláir chomhshó cumhachta ardvoltais agus ard-minicíochta.

4. SiC IGBT: Comhcheanglaíonn sé bacainn ard-ionchuir MOSFET agus tréithe íseal-fhriotaíochta BJT, atá oiriúnach le haghaidh comhshó cumhachta meánach agus ardvoltais agus tiomáint mótair.

Feidhm Feistí Cumhachta Silicon Carbide

1. Feithiclí Leictreacha (EV): I gcóras tiomána feithiclí leictreacha, is féidir le feistí SiC feabhas mór a chur ar éifeachtacht rialtóirí mótair agus inverters, caillteanas cumhachta a laghdú, agus raon tiomána a mhéadú.

2. Fuinneamh In-athnuaite: I gcórais ghiniúna cumhachta gréine agus gaoithe, úsáidtear feistí cumhachta SiC in inverters chun éifeachtúlacht chomhshó fuinnimh a fheabhsú agus costais chórais a laghdú.

3. Soláthar Cumhachta Tionscail: I gcórais soláthair cumhachta tionsclaíocha, is féidir le feistí SiC dlús cumhachta agus éifeachtúlacht a fheabhsú, méid agus meáchan a laghdú, agus feidhmíocht an chórais a fheabhsú.

4. Eangach Cumhachta agus Tarchur agus Dáileadh: I tarchur srutha dhírigh ardvoltais (HVDC) agus greillí cliste, is féidir le feistí cumhachta SiC éifeachtúlacht chomhshó a fheabhsú, caillteanas fuinnimh a laghdú, agus iontaofacht agus cobhsaíocht an tarchurtha cumhachta a fheabhsú.

5. Aeraspáis: Sa réimse aeraspáis, is féidir le feistí SiC oibriú go cobhsaí i dtimpeallachtaí ard-teocht agus radaíochta ard, agus tá siad oiriúnach d'iarratais ríthábhachtacha ar nós satailítí agus bainistíocht cumhachta.

Cuireann Semicorex ardchaighdeán ar fáilsliseog Silicon Carbide. Má tá aon fhiosrúcháin agat nó má tá sonraí breise uait, ná bíodh drogall ort dul i dteagmháil linn.

Fón teagmhála # +86-13567891907

Ríomhphost: sales@semicorex.com