Modh chun púdar SiC a ullmhú

Cairbíd sileacain (SIC)is substaint neamhorgánach é. An méid a tharlaíonn go nádúrthachomhdhúile sileacainan-bheag. Is mianraí annamh é agus tugtar moissanite air.Comhdhúile sileacaina úsáidtear i dtáirgeadh tionsclaíoch den chuid is mó sintéiseithe go saorga.

Faoi láthair, na modhanna tionsclaíocha réasúnta aibí le haghaidh ullmhúpúdar chomhdhúile sileacaináirítear iad seo a leanas: (1) Modh Acheson (modh laghdaithe carbothermal traidisiúnta): comhcheangail gaineamh Grianchloch ardíonachta nó méine Grianchloch brúite le cóc peitriliam, graifít nó púdar mín antraicít Measc go cothrom agus teas go dtí os cionn 2000 ° C tríd an teocht ard a ghintear ag an leictreoid graifít chun imoibriú a dhéanamh chun púdar α-SiC a shintéisiú; (2) Modh laghdaithe carbothermal teocht íseal dé-ocsaíd sileacain: Tar éis púdar fíneáil shilice agus púdar carbóin a mheascadh, déantar imoibriú laghdaithe Carbothermal ag teocht 1500 go 1800 ° C chun púdar β-SiC a fháil le íonacht níos airde. Tá an modh seo cosúil leis an modh Acheson. Is é an difríocht go bhfuil an teocht sintéise an modh seo níos ísle, agus is é an struchtúr criostail mar thoradh air β-cineál, ach tá an neamhimoibrithe carbóin agus dé-ocsaíd sileacain a cheangal ar cóireáil éifeachtach desiliconization agus decarburization; (3) Modh imoibrithe díreach sileacain-charbóin: imoibríonn púdar sileacain miotail go díreach le púdar carbóin chun íonacht ard a ghiniúint ag púdar β-SiC 1000-1400 ° C. Is é púdar α-SiC an príomh-amhábhar do tháirgí ceirmeacha chomhdhúile sileacain faoi láthair, agus úsáidtear β-SiC le struchtúr diamanta den chuid is mó chun ábhair mheilt agus snasta cruinneas a ullmhú.

SiCtá dhá fhoirm chriostail aige, α agus β. Is córas criostail ciúbach é struchtúr criostail β-SiC, le Si agus C faoi seach ag foirmiú laitís ciúbach aghaidh-lárnach; Tá níos mó ná 100 polytypes ag α-SiC mar 4H, 15R agus 6H, ina measc is é an polytype 6H an ceann is coitianta in iarratais tionsclaíocha. Ceann coitianta. Tá caidreamh cobhsaíochta teirmeach áirithe idir na polytypes SiC. Nuair a bhíonn an teocht níos ísle ná 1600 ° C, tá cairbíd sileacain ann i bhfoirm β-SiC. Nuair a bhíonn an teocht níos airde ná 1600 ° C, iompaíonn β-SiC go mall ina α. - Polaitypes éagsúla SiC. Is furasta 4H-SiC a ghiniúint ag thart ar 2000 ° C; Éilíonn polytypes 15R agus 6H araon teocht ard os cionn 2100 ° C a ghiniúint go héasca; Tá 6H-SiC an-chobhsaí fiú má sháraíonn an teocht 2200°C.