GaN vs SiC

Tá roinnt ábhar á n-imscrúdú faoi láthair, ina meascchomhdhúile sileacainsheasann amach mar cheann de na cinn is bisiúla. Cosúil leGaN, tá sé bródúil as voltais oibriúcháin níos airde, voltais miondealú níos airde, agus seoltacht níos fearr i gcomparáid le sileacain. Thairis sin, a bhuíochas dá seoltacht teirmeach ard,chomhdhúile sileacainis féidir é a úsáid i dtimpeallachtaí le teochtaí foircneacha. Ar deireadh, tá sé i bhfad níos lú ó thaobh méide ach fós in ann níos mó cumhachta a láimhseáil.

Cé goSiCis ábhar oiriúnach é d'aimplitheoirí cumhachta, níl sé oiriúnach d'iarratais ard-minicíochta. Ar an lámh eile,GaNIs é an t-ábhar is fearr chun aimplitheoirí cumhachta beaga a thógáil. Mar sin féin, bhí dúshlán roimh innealtóirí agus iad ag cur le chéileGaNle trasraitheoirí MOS sileacain P-cineál, toisc gur theorannaigh sé minicíocht agus éifeachtúlachtGaN. Cé gur chuir an meascán seo cumais chomhlántacha ar fáil, níor réiteach idéalach é ar an bhfadhb.

De réir mar a théann an teicneolaíocht chun cinn, féadfaidh taighdeoirí feistí GaN de chineál P nó feistí comhlántacha a aimsiú ar deireadh ag baint úsáide as teicneolaíochtaí éagsúla ar féidir iad a chomhcheangal leoGaN. Go dtí an lá sin, áfach,GaNleanfaidh sé de bheith teoranta ag teicneolaíocht ár gcuid ama.

Cur chun cinn naGaNÉilíonn an teicneolaíocht comhiarracht idir eolaíocht na n-ábhar, innealtóireacht leictreach agus fisic. Tá an cur chuige idirdhisciplíneach seo riachtanach chun na teorainneacha atá ann faoi láthair a shárúGaNteicneolaíochta. Más féidir linn dul chun cinn a dhéanamh maidir le GaN P-cineál a fhorbairt nó ábhair chomhlántacha oiriúnacha a aimsiú, ní hamháin feabhsóidh sé feidhmíocht feistí bunaithe ar GaN ach cuirfidh sé freisin le réimse níos leithne na teicneolaíochta leathsheoltóra. D’fhéadfadh sé seo an bealach a réiteach do chórais leictreonacha níos éifeachtaí, níos dlúithe agus níos iontaofa amach anseo.