Cad é SiC epitaxy?

Is príomhtheicneolaíocht é epitaxy Silicon Carbide (SiC) i réimse na leathsheoltóirí, go háirithe d'fhorbairt feistí leictreonacha ardchumhachta. Is leathsheoltóir cumaisc é SiC le bandgap leathan, rud a fhágann go bhfuil sé oiriúnach d'iarratais a éilíonn oibríocht ardteochta agus ardvoltais.

Is próiseas é SiC epitaxy chun sraith tanaí d’ábhar criostalach a fhás ar fhoshraith, sileacain de ghnáth, ag baint úsáide as teicníochtaí sil-leagan ceimiceach gaile (CVD) nó epitaxy léas móilíneach (MBE). Tá an struchtúr criostail agus an treoshuíomh céanna ag an gciseal epitaxial mar an tsubstráit, rud a ligeann do chomhéadan ardchaighdeáin a fhoirmiú idir an dá ábhar.

Úsáideadh SiC epitaxy go forleathan i bhforbairt leictreonaic chumhachta, lena n-áirítear feistí cumhachta cosúil le dé-óid, trasraitheoirí agus thyristors. Úsáidtear na feistí seo i raon leathan iarratas, mar fheithiclí leictreacha, córais fuinnimh in-athnuaite, agus soláthairtí cumhachta.

Le blianta beaga anuas, tá suim ag méadú i bhforbairt epitaxy SiC maidir le déantúsaíocht feistí ardchumhachta le haghaidh feidhmeanna amhail feithiclí leictreacha agus córais fuinnimh in-athnuaite. Táthar ag súil go dtiocfaidh fás tapa ar an éileamh ar na gléasanna seo sna blianta amach romhainn, á thiomáint ag an ngá atá le córais fuinnimh níos éifeachtaí agus níos inbhuanaithe.

Mar fhreagra ar an éileamh seo, tá taighdeoirí agus cuideachtaí ag infheistiú i bhforbairt teicneolaíochta epitaxy SiC, le fócas ar cháilíocht a fheabhsú agus costas an phróisis a laghdú. Mar shampla, tá roinnt cuideachtaí ag forbairt epitaxy SiC ar fhoshraitheanna níos mó chun an costas in aghaidh an wafer a laghdú, agus tá cuid eile ag iniúchadh teicnící nua chun dlús na lochtanna a laghdú.

Tá SiC epitaxy á úsáid freisin chun ardbhraiteoirí a fhorbairt do raon feidhmeanna, lena n-áirítear braiteadh gáis, braite teochta, agus braiteadh brú. Tá airíonna uathúla ag SiC a fhágann go bhfuil sé oiriúnach do na feidhmchláir seo, amhail cobhsaíocht ardteochta agus friotaíocht in aghaidh timpeallachtaí crua.