Cad iad na deacrachtaí teicniúla a bhaineann le foirnéis fáis criostail sic

Is é an foirnéis fáis criostail an croí -threalamh d'fhás criostail charbide sileacain. Tá sé cosúil leis an bhfoirnéis thraidisiúnta Crystalline Silicon-grád. Níl an struchtúr foirnéise an -chasta. Tá sé comhdhéanta den chuid is mó den chomhlacht foirnéise, den chóras téimh, den mheicníocht tarchuir corna, den chóras éadála agus tomhais i bhfolús, córas cosán gáis, córas fuaraithe, córas rialaithe, srl.

Ar thaobh amháin, tá an teocht le linn fás criostail charbide sileacain an -ard agus ní féidir monatóireacht a dhéanamh uirthi, mar sin tá an deacracht is mó sa phróiseas féin. Seo a leanas na príomh -dheacrachtaí:

(1) Deacracht i rialú allamuigh teirmeach: Tá sé deacair monatóireacht a dhéanamh ar an seomra dúnta ardteochta. Murab ionann agus an trealamh fáis criostail atá bunaithe i dtuaslagán sileacain-bhunaithe, a bhfuil ardleibhéal uathoibrithe aige agus is féidir an próiseas fáis criostail a bhreathnú, a rialú agus a choigeartú, fásann criostail charbide sileacain i spás dúnta i dtimpeallacht ardteochta os cionn 2,000 ° C, agus ní mór an teocht fáis a rialú go beacht le linn táirgthe, a fhágann go bhfuil rialú teochta ann;

. Is lochtanna trí chineál iad micropipes (MPS) ó roinnt miocrón go deich miocrón i méid, agus is lochtanna killer iad ar fheistí. I measc na gcriostal aonair cairbíde sileacain tá níos mó ná 200 foirm chriostal dhifriúla, ach níl ach cúpla struchtúr criostail (cineál 4H) na hábhair leathsheoltóra a theastaíonn le haghaidh táirgthe. Tá claochlú ar fhoirm chriostal seans maith go dtarlóidh sé le linn fáis, agus mar thoradh air sin tá lochtanna cuimsithe polymorphic. Dá bhrí sin, is gá paraiméadair a rialú go beacht mar an cóimheas sileacain-charbóin, grádán teochta fáis, ráta fáis criostail, agus brú sreafa aeir. Ina theannta sin, tá grádán teochta i réimse teirmeach an fháis chriostal aonair cairbíde sileacain, as a dtagann strus inmheánach dúchasach agus na díláithriúcháin a eascraíonn as (díláithriú eitleáin basal BPD, scriú dislocation TSD, dílárú imeall) le linn fás criostail, rud a théann i bhfeidhm ar cháilíocht agus ar fheidhmíocht na n -eipidítí fo -chothaithe agus na bhfliuch.

.

(4) Ráta fáis mall: Tá an ráta fáis cairbíd sileacain an -mhall. Ní theastaíonn ach 3 lá ó ábhair thraidisiúnta sileacain le fás ina slat chriostal, agus tá 7 lá de dhíth ar slata criostail carbide sileacain. Fágann sé seo go bhfuil éifeachtúlacht táirgthe cairbíde sileacain níos ísle agus aschur an -teoranta.

Ar an láimh eile, tá na paraiméadair a theastaíonn le haghaidh fás eipidéimeach cairbíde sileacain an -ard, lena n -áirítear aerdhíonacht an trealaimh, cobhsaíocht an bhrú gáis sa seomra imoibriúcháin, rialú beacht an ama réamhrá gáis, cruinneas an chóimheas gáis, agus bainistíocht dhian na teochta sil -leagan. Go háirithe, le feabhas a chur ar rátáil voltais an fheiste, tá méadú suntasach tagtha ar an deacracht a bhaineann le croí -pharaiméadair an tsleasa epitaxial a rialú. Ina theannta sin, de réir mar a mhéadaíonn tiús an chiseal eipiciúil, conas aonfhoirmeacht na friotachais a rialú agus an dlús fabht a laghdú agus a chinntiú gur dúshlán mór eile é an tiús. Sa chóras rialaithe leictrithe, is gá braiteoirí agus gníomhaithe ardchruinnithe a chomhtháthú chun a chinntiú gur féidir paraiméadair éagsúla a rialú go cruinn agus go cobhsaí. Ag an am céanna, tá an leas iomlán a bhaint as an algartam rialaithe ríthábhachtach freisin. Caithfidh sé a bheith in ann an straitéis rialaithe a choigeartú i bhfíor -am de réir an chomhartha aiseolais chun dul in oiriúint d'athruithe éagsúla sa phróiseas fáis silicon carbide.

Tairgeann Semicorex saincheaptha ard-íonachtaceirmeachisgraifítComhpháirteanna i bhfás criostail SIC. Má tá aon fhiosrúcháin agat nó má tá sonraí breise uait, ná bíodh drogall ort teagmháil a dhéanamh linn.

Teagmháil Fón # +86-13567891907

Ríomhphost: sales@semicorex.com